Китайские учёные представили самый быстрый в мире носитель флеш-памяти

Новое устройство может работать в 2,5 раза быстрее самых быстрых энергонезависимых аналогов и до 25 раз скорее более медленных.

Ученые из Фуданского Университета в Китае установили новый мировой рекорд для полупроводниковых накопителей, разработав конструкция флеш-памяти, способное сохранять данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд, сообщает ShanghaiEye.

Новое устройство, получившее наименование PoX, является энергонезависимым типом памяти, который значительно превосходит даже самые быстрые современные энергозависимые технологии, такие как SRAM и DRAM, каким требуется от 1 до 10 наносекунд для записи одного бита. Для сравнения, одна пикосекунда — это тысяча наносекунд или триллионная доля секунды, то есть новое устройство может быть быстрее в 2,5 раза самых быстрых энергозависимых аналогов и до 25 раз скорее более медленных.

[embedded content]

Как отметил ведущий исследователь Чжоу Пен, в этом проекте активно использовались алгоритмы ненастоящего интеллекта, которые помогли оптимизировать условия тестирования и значительно ускорить развитие технологии.

В настоящее время команда Фудана разыскивает пути превращения этого устройства в коммерческий продукт.

Результаты исследования были опубликованы в среду в журнале Nature.

Напомним, ранее сообщалось, что в Китае представили альтернативу для HDMI и DisplayPort.

В Китае будут торговать человекоподобного робота

Новости от Корреспондент.net в Telegram и WhatsApp. Подписывайтесь на наши каналы https://t.me/korrespondentnet и WhatsApp